PGEE - PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA | |
HOME LABORATÓRIO DOCENTES ESTUDANTES PESQUISA DISCIPLINAS CONTATOS COORDENAÇÃO MATRÍCULAS UFABC |
Disciplinas da PGEE EEL-105: Processos de Fabricação de Dispositivos Microeletrônicos 12 créditos: 48 horas em sala de aula e 96 horas de dedicão individual Ementa
Teoria
de Semicondutores. Tecnologia de fabricação de circuitos
integrados - Bipolar e MOS (NMOS, CMOS e BICMOS).
Principais etapas de fabricação de circuitos integrados e de dispositivos de eletrônica de potência baseados em silício. Processos de limpeza de substratos. Oxidação térmica. Deposição de filmes finos em fase gasosa. Processos litográficos. Dopagens por difusão térmica e por implantação iônica. Processos de corrosão úmida e seca aplicados no desenvolvimento de microeletromecanismos (MEMS).
Bibliografia
[1]-
Madou, M. J.:Fundamentals of microfabrication, CRC press - Florida,
2002.
[2]- Gardner, J. W.; VARADAN, V. K.; AWADELKARIM, O. O.: Microsensors MEMS and smart devices. John Wiley & Sons - New York, 2001. [3]- Sze, S. M.; Semiconductor sensors, John Wiley & Sons - New York, 1994. [4]- Ristic, L.; Sensor technology and devices, Artech House - Boston, 1994. [5]- Plummer, J. D.; Deal, M. D.; Griffin, P. B.: Silicon VLSI Technology ? Fundamentals, Practice and Modeling, Prentice Hall, 2000. [6]- Chang, C.Y.; Sze, S. M.: ULSI Technology, McGrawHill ,1996. [5]- Sessler, G. M.: Electrets, 2nd edition, Springer-Verlag, New York, 1987. [6]- O?Dwyer, J. J.: The Theory of Electrical Conduction and Breakdown in Solids, Clarendon, Oxford, 1973. [7]- Kuffel, E.; Zaengl, W. S.: High Voltage Engineering, Pergamon Press, Oxford,1984. |